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Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202
| Número de pieza | BSM180C12P2E202 |
| Fabricante | Rohm Semiconductor |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | BSM180C12P2E202 Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | transistores - fets, mosfets - simples |
Consulta rápida
BSM180C12P2E202 Especificaciones
| Número de pieza: | BSM180C12P2E202 |
| Marca: | Rohm Semiconductor |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
| Fabricante: | Rohm Semiconductor |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Active |
| tipo fet: | N-Channel |
| tecnología: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 1200V |
| corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 204A (Tc) |
| voltaje del variador (máx. rds activado, mínimo rds activado): | - |
| rds activado (máx.) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 4V @ 35.2mA |
| carga de puerta (qg) (max) @ vgs: | - |
| vgs (máx.): | +22V, -6V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 20000pF @ 10V |
| característica fet: | - |
| disipación de potencia (máx.): | 1360W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor: | Module |
| paquete/caja: | Module |
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