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Diodes Incorporated DMN67D8LDW-7
| Número de pieza | DMN67D8LDW-7 |
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | DMN67D8LDW-7 Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | transistores - fets, mosfets - matrices |
Consulta rápida
DMN67D8LDW-7 Especificaciones
| Número de pieza: | DMN67D8LDW-7 |
| Marca: | Diodes Incorporated |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - matrices |
| Fabricante: | Diodes Incorporated |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Active |
| tipo fet: | 2 N-Channel (Dual) |
| característica fet: | Standard |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 60V |
| corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 230mA |
| rds activado (máx.) @ id, vgs: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 2.5V @ 250µA |
| carga de puerta (qg) (max) @ vgs: | 0.82nC @ 10V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 22pF @ 25V |
| potencia - máx.: | 320mW |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| paquete/caja: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| paquete de dispositivo del proveedor: | SOT-363 |
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