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ON Semiconductor MUN5116DW1T1G
| Número de pieza | MUN5116DW1T1G |
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | MUN5116DW1T1G Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | transistores - bipolares (bjt) - matrices, prepolares |
Consulta rápida
MUN5116DW1T1G Especificaciones
| Número de pieza: | MUN5116DW1T1G |
| Marca: | ON Semiconductor |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | transistores - bipolares (bjt) - matrices, prepolares |
| Fabricante: | ON Semiconductor |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Active |
| tipo de transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| corriente - colector (ic) (max): | 100mA |
| tensión - avería colector-emisor (máx.): | 50V |
| resistencia - base (r1): | 4.7 kOhms |
| resistencia - base del emisor (r2): | - |
| Ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce: | 160 @ 5mA, 10V |
| saturación vce (máx.) @ ib, ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
| corriente - corte del colector (máx.): | 500nA |
| frecuencia - transición: | - |
| potencia - máx.: | 250mW |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| paquete/caja: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| paquete de dispositivo del proveedor: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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