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Microsemi Corporation APTC60HM45T1G
| Número de pieza | APTC60HM45T1G |
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1 |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | APTC60HM45T1G Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | transistores - fets, mosfets - matrices |
Consulta rápida
APTC60HM45T1G Especificaciones
| Número de pieza: | APTC60HM45T1G |
| Marca: | Microsemi Corporation |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - matrices |
| Fabricante: | Microsemi Corporation |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Active |
| tipo fet: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| característica fet: | Standard |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 600V |
| corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 49A |
| rds activado (máx.) @ id, vgs: | 45 mOhm @ 24.5A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 3.9V @ 3mA |
| carga de puerta (qg) (max) @ vgs: | 150nC @ 10V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 7200pF @ 25V |
| potencia - máx.: | 250W |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| paquete/caja: | SP1 |
| paquete de dispositivo del proveedor: | SP1 |
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