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ON Semiconductor NDB6060L
| Número de pieza | NDB6060L |
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | NDB6060L Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | transistores - fets, mosfets - simples |
Consulta rápida
NDB6060L Especificaciones
| Número de pieza: | NDB6060L |
| Marca: | ON Semiconductor |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
| Fabricante: | ON Semiconductor |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Active |
| tipo fet: | N-Channel |
| tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 60V |
| corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 48A (Tc) |
| voltaje del variador (máx. rds activado, mínimo rds activado): | 5V, 10V |
| rds activado (máx.) @ id, vgs: | 20 mOhm @ 24A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 2V @ 250µA |
| carga de puerta (qg) (max) @ vgs: | 60nC @ 5V |
| vgs (máx.): | ±16V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 2000pF @ 25V |
| característica fet: | - |
| disipación de potencia (máx.): | 100W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor: | D²PAK (TO-263AB) |
| paquete/caja: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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