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EPC EPC2100ENG
| Número de pieza | EPC2100ENG |
| Fabricante | EPC |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | EPC2100ENG Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | transistores - fets, mosfets - matrices |
Consulta rápida
EPC2100ENG Especificaciones
| Número de pieza: | EPC2100ENG |
| Marca: | EPC |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - matrices |
| Fabricante: | EPC |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Discontinued at Digi-Key |
| tipo fet: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| característica fet: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 30V |
| corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| rds activado (máx.) @ id, vgs: | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| carga de puerta (qg) (max) @ vgs: | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| potencia - máx.: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| paquete/caja: | Die |
| paquete de dispositivo del proveedor: | Die |
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