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Rohm Semiconductor EM6M2T2R
| Número de pieza | EM6M2T2R |
| Fabricante | Rohm Semiconductor |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | EM6M2T2R Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | transistores - fets, mosfets - matrices |
Consulta rápida
EM6M2T2R Especificaciones
| Número de pieza: | EM6M2T2R |
| Marca: | Rohm Semiconductor |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - matrices |
| Fabricante: | Rohm Semiconductor |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Active |
| tipo fet: | N and P-Channel |
| característica fet: | Logic Level Gate |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 20V |
| corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 200mA |
| rds activado (máx.) @ id, vgs: | 1 Ohm @ 200mA, 4V |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 1V @ 1mA |
| carga de puerta (qg) (max) @ vgs: | - |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 25pF @ 10V |
| potencia - máx.: | 150mW |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| paquete/caja: | SOT-563, SOT-666 |
| paquete de dispositivo del proveedor: | EMT6 |
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