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Infineon Technologies IRFB4110PBF
| Número de pieza | IRFB4110PBF |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | IRFB4110PBF Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | transistores - fets, mosfets - simples |
Consulta rápida
IRFB4110PBF Especificaciones
| Número de pieza: | IRFB4110PBF |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
| Fabricante: | Infineon Technologies |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Active |
| tipo fet: | N-Channel |
| tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 100V |
| corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
| voltaje del variador (máx. rds activado, mínimo rds activado): | 10V |
| rds activado (máx.) @ id, vgs: | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 4V @ 250µA |
| carga de puerta (qg) (max) @ vgs: | 210nC @ 10V |
| vgs (máx.): | ±20V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 9620pF @ 50V |
| característica fet: | - |
| disipación de potencia (máx.): | 370W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| paquete de dispositivo del proveedor: | TO-220AB |
| paquete/caja: | TO-220-3 |
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