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Infineon Technologies FF8MR12W2M1B11BOMA1
| Número de pieza | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | MOSFET MODULE 1200V 150A |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | FF8MR12W2M1B11BOMA1 Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | transistores - fets, mosfets - matrices |
Consulta rápida
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Especificaciones
| Número de pieza: | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - matrices |
| Fabricante: | Infineon Technologies |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Active |
| tipo fet: | 2 N-Channel (Dual) |
| característica fet: | Silicon Carbide (SiC) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 1200V |
| corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 150A (Tj) |
| rds activado (máx.) @ id, vgs: | 7.5 mOhm @ 150A, 15V (Typ) |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 5.55V @ 60mA |
| carga de puerta (qg) (max) @ vgs: | 372nC @ 15V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 11000pF @ 800V |
| potencia - máx.: | 20mW (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| paquete/caja: | Module |
| paquete de dispositivo del proveedor: | AG-EASY2BM-2 |
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