ON Semiconductor FDMC86261P
Número de pieza | FDMC86261P |
Fabricante | ON Semiconductor |
Paquete / Estuche | - |
Descripción | MOSFET P-CH 150V 2.7A 8MLP |
En stock | Podemos enviar inmediatamente |
Precio unitario | Solicitar presupuesto |
Hoja de fecha | FDMC86261P Hoja de fecha |
Garantizar | Nuevo y original |
Categoría | productos semiconductores discretos |
Filtrar | transistores - fets, mosfets - simples |
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FDMC86261P Especificaciones
Número de pieza: | FDMC86261P |
Marca: | ON Semiconductor |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | productos semiconductores discretos |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | ON Semiconductor |
Libre de halógeno: | Satisfy |
Popularidad: | High popularity |
Oferta Demanda: | Sufficient |
Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
estado de la pieza: | Active |
tipo fet: | P-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 150V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 2.7A (Ta), 9A (Tc) |
voltaje del variador (máx. rds activado, mínimo rds activado): | 6V, 10V |
rds activado (máx.) @ id, vgs: | 160 mOhm @ 2.4A, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id: | 4V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (max) @ vgs: | 24nC @ 10V |
vgs (máx.): | ±25V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 1360pF @ 75V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 2.3W (Ta), 40W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivo del proveedor: | 8-MLP (3.3x3.3) |
paquete/caja: | 8-PowerWDFN |
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