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Infineon Technologies DZ3600S17K3B2NOSA1
| Número de pieza | DZ3600S17K3B2NOSA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | IGBT MODULE 1700V 3600V |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | DZ3600S17K3B2NOSA1 Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | diodos - rectificadores - matrices |
Consulta rápida
DZ3600S17K3B2NOSA1 Especificaciones
| Número de pieza: | DZ3600S17K3B2NOSA1 |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | diodos - rectificadores - matrices |
| Fabricante: | Infineon Technologies |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Not For New Designs |
| configuración de diodo: | 3 Independent |
| tipo de diodo: | Standard |
| voltaje - CC inversa (vr) (máx.): | 1700V |
| corriente - promedio rectificado (io) (por diodo): | - |
| voltaje - directo (vf) (max) @ si: | 2.2V @ 3600A |
| velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| tiempo de recuperación inversa (trr): | - |
| corriente - fuga inversa @ vr: | 3050A @ 900V |
| temperatura de funcionamiento - unión: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| paquete/caja: | Module |
| paquete de dispositivo del proveedor: | A-IHM190-1 |
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