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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FE(TE85L,F)
| Número de pieza | SSM6P15FE(TE85L,F) |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Paquete / Estuche | - |
| Descripción | MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 |
| En stock | Podemos enviar inmediatamente |
| Precio unitario | Solicitar presupuesto |
| Hoja de fecha | SSM6P15FE(TE85L,F) Hoja de fecha |
| Garantizar | Nuevo y original |
| Categoría | productos semiconductores discretos |
| Filtrar | transistores - fets, mosfets - matrices |
Consulta rápida
SSM6P15FE(TE85L,F) Especificaciones
| Número de pieza: | SSM6P15FE(TE85L,F) |
| Marca: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Ciclo vital: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoría: | productos semiconductores discretos |
| Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - matrices |
| Fabricante: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Libre de halógeno: | Satisfy |
| Popularidad: | High popularity |
| Oferta Demanda: | Sufficient |
| Piezas alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| estado de la pieza: | Active |
| tipo fet: | 2 P-Channel (Dual) |
| característica fet: | Logic Level Gate |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 30V |
| corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 100mA |
| rds activado (máx.) @ id, vgs: | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 1.7V @ 100µA |
| carga de puerta (qg) (max) @ vgs: | - |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 9.1pF @ 3V |
| potencia - máx.: | 150mW |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| paquete/caja: | SOT-563, SOT-666 |
| paquete de dispositivo del proveedor: | ES6 (1.6x1.6) |
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